GaN・SiCハイブリッドトランジスタを開発 [158879285]

?PLT(16151) · 2021/12/13(月) 09:05:34.90

発表・掲載日：2021/12/12

GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証
－GaNトランジスタの過電圧脆弱性を解決－

ポイント
GaNトランジスタとSiCダイオードのモノリシック化に成功
回路異常動作時に起こるGaNトランジスタ耐圧破壊の問題を解決
モーター駆動や太陽光発電用パワーコンディショナーなどへの応用に期待

概要
国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチーム中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、
ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、
ハイブリッド型トランジスタの作製および動作実証に世界で初めて成功した。
GaNとSiCのデバイス試作を両立できる独自の一貫製造プロセスラインの構築によって、ハイブリッド型トランジスタの実現に至った。
試作したハイブリッド型トランジスタは、GaNの特長である低いオン抵抗およびSiCダイオードで実績のある非破壊降伏の両立を実現した。
これによって、ハイブリッド型トランジスタは高い信頼性が求められる電気自動車や太陽光発電用パワーコンディショナーなどへの適用が期待される。
今後は、デバイス製造プロセスのさらなる最適化を進め、実用化に向けた橋渡しを目指す。

なお、この技術の詳細は、2021年12月11～15日に米国サンフランシスコ州で開催される67th Annual IEEE International Electron Devices Meetingでオンライン発表される。

https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20211212/pr20211212.html