半導体、中国やアメリカ、すでにナノの10分の1「オングストローム」時代に突入 [566475398]
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半導体の微細化は続く、30年に「オングストローム」世代へ
半導体技術の国際会議「IEDM 2023」ではオングストローム時代の微細化技術が見えてきた（写真：日経クロステック）
鈍化しつつある半導体の微細化だが、2nm世代から0.3nm世代までの道筋が見えてきた。製造プロセスの世代を表現する単位も
「nm（ナノメートル）」から、より短い「Å（オングストローム）」（Å＝0.1nm）に変わっていく。
2030年ごろにオングストローム時代が本格化する見込みだ。
Rapidus（ラピダス、東京・千代田）を含め、台湾TSMCや韓国Samsung Electronics（サムスン電子）、
米Intel（インテル）などの間で最先端ロジック半導体の量産に向けた熾烈（しれつ）な開発競争が繰り広げられている。
2nmといった数字は、半導体の「テクノロジー・ノード」と呼ばれる指標で、製造プロセスの世代を示す。
テクノロジー・ノードを小さく、すなわち微細化するほど、同一のチップ面積に多くの素子を搭載できるので、演算処理性能が高まる。
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00257/00040/ >>2
原子一個の大きさが1Å程度なので、物質の領域でピコメートル単位は使う意味がない ＞Rapidus（ラピダス、東京・千代田）を含め、
ん？ 3Åとか原子2-3個だけど、もう電子が量子的にしか振る舞わない領域でどうやってトンネルリークを防ぐのか 2ナノも実際にその精度じゃなくて立体的に組んで見せかけは2ナノになってるだけと聞いたが 盗聴器や盗撮を仕込まれても何処に付けられているのか分からなくなるのか これ以上小さく出来ないなら上に積めばいいじゃない
が現実になりつつある 人間ってすごいなあ
本当なら原子サイズのものを作ってるんだろ？ 現実の回路幅は12nm程度で限界が来ている
立体的に回路を積み重ねて面積あたりのトランジスタ数を増やしたら
これは5nm相当だ！2nm相当だ！って宣伝してるだけ
だからどんどん消費電力が増えて爆熱化 今一番細かく出来る分子が1nmだろ
それを割らないとそれ以上の小さいのは手に入らないはず >>9
>>15
なるほど多層化のことをそういう指標で呼んでるだけなのね
旧来の指標じゃないと理解できない奴ら向けなんだろうけど、物理的におかしな話になるから紛らわしい 電子ピンセットだっけ？
原子の場所を変えたり出来るんだよな
そこまで技術が進化してるのに
何で髪ははやせないの？ >>15
そういうことね
10積み重ねれば10分の1と言い張る 現状ですらどうやってトンネル現象抑えているのか何も理解できていない 分子だ原子だじゃなくて電子や陽子で考えればまだまだいけるんじゃないか？
てか、それが量子コンピューターってことか？
なんかよう知らんが >>20
今は薬で生やせるじゃん
ミノキシジルとなんちゃらいうので 昔はナノじゃ無くて何ミクロンとか言ってたよね？
それより前はミリの時代もあったのかな >>4
原子1個のサイズがそうでも、座標や距離はその下じゃないの >>1
最先端半導体技術でアメリカと日本は蚊帳の外
技術力が足りない
圧倒的に台湾と韓国で、その後を中国が追う
そのかなーり後をアメリカ、そしてそのまた後を日本が追ってる ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
