【独自】ラピダス「2ナノ半導体」量産へ前進 性能数値目標をクリア
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次世代半導体の量産を目指す日本の半導体メーカーRapidus（ラピダス）は、米IBMとの共同開発で、2ナノメートル（ナノ＝10億分の１）相当の半導体を量産する上で必要な歩留まり（良品率、出来高）や性能などに関する数値目標を先月までに達成し、世界初の量産技術を確立しつつあることがわかった。
ラピダスの小池淳義社長は、4月上旬にニューヨークの研究開発拠点を訪問し、米IBMの幹部らとともに技術的な数値目標を3月末時点でクリアしたことを確認した。
その後、100人を超えるラピダスのエンジニアたちに向け、「トランジスタの特性がきちんと計画どおり証明された。量産していく上で大切な歩留まりの大きな関門をクリアしてくれた。この2点が我々にとって非常に大きな成果だ」と激励した。
回路の線幅が2ナノメートル相当の半導体については、台湾のTSMCや韓国のサムスンなども開発を進めているが、現在まで量産技術を確立した企業はない。
データの高速処理だけでなく消費電力を大幅に抑制することができるとされる「2ナノ半導体」は、急速に需要が増えるAI向けの半導体としての活用も期待される。
ラピダスは年内をめどに米国で量産技術を最終的に確立させ、北海道・千歳市の新たな生産拠点に技術を移管して、来年4月から「2ナノ半導体」の試作に入る予定だ。
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