【朗報】垂直トランジスタによるブレイクスルーでスマホの充電が週1に、IBMとサムスンが発表 [294565846]
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IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。
「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。
https://www.itmedia.co.jp/news/articles/2112/16/news071.html
VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。
この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。
同社はVTFETを紹介する動画で、例えばスマートフォンのバッテリーは1回の充電で1週間以上もつようになり、宇宙船や自動運転自動車、海洋ブイなどのIoTデバイスもこの設計の恩恵を受ける可能性があると語った。
実用化はまだ数年先になりそうだが、IBMは5月には、2nmのノードチップ設計を発表している。
https://i.imgur.com/ibdV2ZV.jpg
これ半分革命だろ メタル層の上にトランジスタを作るってこと？
今のウエハ単位での積層が一気にオワコンになるな。 IBM→父さん
サムスン→兄さん
俺たちジャップは劣等だ… あららら
昔はこういう基礎技術日本が強かったのにね 日本人「サムチョンの飛ばしウヨオオオオオオオオ！！！！！！ムーアじゃなくてKの法則ガアアアアアアアアアアア！！！！！！！！」 省電力やばすぎだろ
EUみたいな環境意識高いとこはそのうちサムスンのプロセス以外の半導体の製造に罰金をかす可能性高いよ
日本おわったわ 何層にも積み重ねて単位面積当たりの集積を上げても、ひとつの面の集積が同じなら、積み重ねた分のかけ算になってしまうと思うんだけどなぁ >>29
現行の爆熱プロセスと比べてこれくらい減りますとか希望的観測書いてあるだけなんだけどな 圧倒的に電力食うのはディスプレイやろ
そこ以外減らしても
それほど効果無いやろ >>3が解りやすいな
FinFETはゲート(青)が3面に接していたけど
VtFETは4面に接しているから性能が高くなる
いろんな会社や組織が研究開発していたけどサムソンもお披露目できるようになったというだけ だからこそ働き方改革を急いで進めるべきなんだよ
維新は正社員制度・終身雇用制を完全に廃止しろ
日本の足をひっぱる老害制度をぶっつぶせ
実質的に与党の権限を獲得したんだから、自民党にガンガン働きかけていけ
未来ある日本を取り戻せ NTTが1年に一回で良くなるとかホルってなかった？ 画面と通信に使う電力が変わらないとそんなにバッテリー持ちは変わらんだろうよ スマホの電池なんてディスプレイ分が大きいんじゃねーの？ >>39
そんなだからお前はいつまで経っても底辺無職なんだよ 半導体は進化してるのにバッテリー側の進化は全然しないな この手の積みかさねる系の半導体のニュースは何回か見た記憶があるが
さすがに今回はガチなのか？ 縦に積層したとしても密になっとるわけだから
熱どうしようもないんじゃないの？ 日本の企業か大学が関わってたら信用しねーけど、これは実用化されるだろ これディスプレイの消費電力消費下がらないから
劇的に改善しないだろ ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
