塗布で製造できる「p型半導体」、東工大が開発
東京工業大学の金正煥助教と細野秀雄栄誉教授らは、塗布で製造可能なp型半導体を開発した。
2種類のペロブスカイト型ハロゲン化物を混ぜて電流の流れ具合を調整する。
n型半導体の酸化物半導体「IGZO」と薄膜トランジスタ（TFT）を作製し、高い特性を得た。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
ニュースイッチ 2/7(月) 13:10
https://news.yahoo.co.jp/articles/94fe76e9c091e243866a8b73bd6febb596c756dc
